Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI7129DN-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI7129DN-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
675
26.29р.
Ciss-Input Capacitance
2.215nF
Current - Continuous Drain(Id)
50A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
2.215nF
Current - Continuous Drain(Id)
50A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
22nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
310pF
Package
DFN-8(3x3)
Pd - Power Dissipation
4.2W
RDS(on)
9mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
237pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI7129DN-T1-GE3-HXY
SI7129DN-T1-GE3-HXY
675
26.29р.
HXY MOSFET SI7617DN-T1-GE3-HXY
SI7617DN-T1-GE3-HXY
234
47.31р.
HXY MOSFET SMIRF8N65T2TL-HXY
SMIRF8N65T2TL-HXY
82
48.48р.
AOS AOTF12T50P
AOTF12T50P
1000
28.74р.
HXY MOSFET AOTF13N50
AOTF13N50
99
163.55р.