Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI4800BDY-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI4800BDY-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
40
11.14р.
Ciss-Input Capacitance
816.2pF
Current - Continuous Drain(Id)
8.5A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
816.2pF
Current - Continuous Drain(Id)
8.5A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
8.4nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
107.8pF
Package
SOP-8
Pd - Power Dissipation
1.5W
RDS(on)
18mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
82.6pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI4800BDY-T1-GE3-HXY
SI4800BDY-T1-GE3-HXY
40
11.14р.
HXY MOSFET IRF9321PBF-HXY
IRF9321PBF-HXY
40
28.09р.
HXY MOSFET IRF9328PBF-HXY
IRF9328PBF-HXY
25
23.30р.
HXY MOSFET STN4102-HXY
STN4102-HXY
85
11.88р.
HXY MOSFET SM480T9RL-HXY
SM480T9RL-HXY
10
19.27р.