Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI4435DYPBF-HXY
Артикул:
SI4435DYPBF-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
266
56.14р.
Ciss-Input Capacitance
4.7nF
Current - Continuous Drain(Id)
11A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
4.7nF
Current - Continuous Drain(Id)
11A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
45nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOP-8
Pd - Power Dissipation
2.5W
RDS(on)
16mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
210pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI4435DYPBF-HXY
SI4435DYPBF-HXY
266
56.14р.
HXY MOSFET NVMFS5C682NL-HXY
NVMFS5C682NL-HXY
93
48.99р.
HXY MOSFET NVMFS5826NL-HXY
NVMFS5826NL-HXY
48
63.30р.
HXY MOSFET IRFHM8329PBF-HXY
IRFHM8329PBF-HXY
29
47.65р.
HXY MOSFET ZVN3310F-HXY
ZVN3310F-HXY
290
8.40р.