Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2399DS-T1-GE3-VB
Артикул:
Si2399DS-T1-GE3-VB
Производитель:
VBsemi Elec
40
9.12р.
Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
20V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
10nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
180pF
Package
SOT-23(TO-236)
Pd - Power Dissipation
2.5W
RDS(on)
60mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
155pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VBsemi Elec Si2399DS-T1-GE3-VB
Si2399DS-T1-GE3-VB
40
9.12р.
VBsemi Elec SI2347DS-T1-GE3-VB
SI2347DS-T1-GE3-VB
530
10.32р.
VBsemi Elec SI2369DS-T1-GE3-VB
SI2369DS-T1-GE3-VB
15
10.11р.
VBsemi Elec RFD16N06LESM-VB
RFD16N06LESM-VB
28
53.35р.
VBsemi Elec NTGS4111PT1G-VB
NTGS4111PT1G-VB
420
23.66р.