Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2343DS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2343DS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
95
12.10р.
Ciss-Input Capacitance
650pF
Current - Continuous Drain(Id)
4.1A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
650pF
Current - Continuous Drain(Id)
4.1A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
7.3nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
115pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1.32W
RDS(on)
56mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
95pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2343DS-T1-GE3-HXY
Si2343DS-T1-GE3-HXY
95
12.10р.
HXY MOSFET SM3407SRL-HXY
SM3407SRL-HXY
70
6.74р.
HXY MOSFET Si2343DS-T1-E3-HXY
Si2343DS-T1-E3-HXY
4060
8.32р.
HXY MOSFET DMG3406L-HXY
DMG3406L-HXY
30
7.60р.
HXY MOSFET ZXMN2A01F-HXY
ZXMN2A01F-HXY
40
4.29р.