Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2342DS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2342DS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
325
8.18р.
Current - Continuous Drain(Id)
7A
Drain to Source Voltage
20V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
7A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Charge(Qg)
15nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.2V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
132pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
2W
RDS(on)
25mΩ@2.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
114pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2342DS-T1-GE3-HXY
Si2342DS-T1-GE3-HXY
325
8.18р.
HXY MOSFET DMN4026SK3-HXY
DMN4026SK3-HXY
85
30.34р.
HXY MOSFET PMV16XNR-HXY
PMV16XNR-HXY
570
12.44р.
HXY MOSFET IRLML6244PBF-HXY
IRLML6244PBF-HXY
30
7.36р.
HXY MOSFET SIR401DP-T1-GE3-HXY
SIR401DP-T1-GE3-HXY
19
79.46р.