Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI2336DS-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI2336DS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
265
8.65р.
Ciss-Input Capacitance
310pF
Current - Continuous Drain(Id)
5A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
310pF
Current - Continuous Drain(Id)
5A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
4.6nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.2V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
49pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
33mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
35pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI2336DS-T1-GE3-HXY
SI2336DS-T1-GE3-HXY
265
8.65р.
HXY MOSFET SI4686DY-T1-E3-HXY
SI4686DY-T1-E3-HXY
198
72.47р.
HXY MOSFET IRF7809AVTRPBF-HXY
IRF7809AVTRPBF-HXY
140
26.30р.
HXY MOSFET SI4822DY-HXY
SI4822DY-HXY
190
23.44р.
HXY MOSFET IRF7413ZTRPBF-HXY
IRF7413ZTRPBF-HXY
190
25.41р.