Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI2333DDS-T1-GE3-VB
Артикул:
SI2333DDS-T1-GE3-VB
Производитель:
VBsemi Elec
60
9.03р.
Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
20V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
10nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
180pF
Package
SOT-23(TO-236)
Pd - Power Dissipation
2.5W
RDS(on)
60mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
155pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VBsemi Elec SI2333DDS-T1-GE3-VB
SI2333DDS-T1-GE3-VB
60
9.03р.
VBsemi Elec SI2309DS-T1-GE3-VB
SI2309DS-T1-GE3-VB
415
31.79р.
VBsemi Elec Si2342DS-T1-GE3-VB
Si2342DS-T1-GE3-VB
125
9.15р.
VBsemi Elec RFD16N06LESM-VB
RFD16N06LESM-VB
28
53.35р.
VBsemi Elec NTGS4111PT1G-VB
NTGS4111PT1G-VB
420
23.66р.