Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2312CDS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2312CDS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
4.66р.
Ciss-Input Capacitance
630pF
Current - Continuous Drain(Id)
6A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
630pF
Current - Continuous Drain(Id)
6A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
164pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
350mW
RDS(on)
27mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
137pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2312CDS-T1-GE3-HXY
Si2312CDS-T1-GE3-HXY
30
4.66р.
HXY MOSFET DMN2058U-HXY
DMN2058U-HXY
90
4.16р.
HXY MOSFET IRLML6246PBF-HXY
IRLML6246PBF-HXY
20
9.66р.
HXY MOSFET DMN2056U-HXY
DMN2056U-HXY
60
3.98р.
HXY MOSFET AOSS21319C-HXY
AOSS21319C-HXY
25
11.19р.