Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2312BDS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2312BDS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
40
5.12р.
Ciss-Input Capacitance
260pF
Current - Continuous Drain(Id)
3A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
260pF
Current - Continuous Drain(Id)
3A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Charge(Qg)
5nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.2V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
48pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
900mW
RDS(on)
35mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
27pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2312BDS-T1-GE3-HXY
Si2312BDS-T1-GE3-HXY
40
5.12р.
HXY MOSFET DMG6968U-HXY
DMG6968U-HXY
90
7.06р.
HXY MOSFET PMF63UNE-HXY
PMF63UNE-HXY
30
9.29р.
HXY MOSFET Si2374DS-T1-GE3-HXY
Si2374DS-T1-GE3-HXY
320
10.28р.
HXY MOSFET DMN2053UW-HXY
DMN2053UW-HXY
3920
6.71р.