Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2304BDS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2304BDS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
20
6.26р.
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
3nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
38mΩ@10V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2304BDS-T1-GE3-HXY
Si2304BDS-T1-GE3-HXY
20
6.26р.
HXY MOSFET BSL215CH6327-HXY
BSL215CH6327-HXY
60
28.94р.
HXY MOSFET DMN3051L-HXY
DMN3051L-HXY
10
5.74р.
HXY MOSFET SI1032R-T1-GE3-HXY
SI1032R-T1-GE3-HXY
4495
11.61р.
HXY MOSFET DMC4050SSD-HXY
DMC4050SSD-HXY
45
36.55р.