Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2302DDS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2302DDS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
6.30р.
Current - Continuous Drain(Id)
2.3A
Drain to Source Voltage
20V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
2.3A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.2V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
900mW
RDS(on)
60mΩ@4.5V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2302DDS-T1-GE3-HXY
Si2302DDS-T1-GE3-HXY
30
6.30р.
HXY MOSFET ZXMN2F34FH-HXY
ZXMN2F34FH-HXY
200
4.20р.
HXY MOSFET Si2302CDS-T1-GE3-HXY
Si2302CDS-T1-GE3-HXY
2260
2.99р.
HXY MOSFET DMG2302U-HXY
DMG2302U-HXY
200
1.88р.
HXY MOSFET Si2302CDS-T1-E3-HXY
Si2302CDS-T1-E3-HXY
1040
2.40р.