Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI2301CDS-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI2301CDS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
2680
3.46р.
Current - Continuous Drain(Id)
2.3A
Drain to Source Voltage
20V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
2.3A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Charge(Qg)
2.9nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
20
Multiple
20
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
650mW
RDS(on)
170mΩ@2.5V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI2301CDS-T1-GE3-HXY
SI2301CDS-T1-GE3-HXY
2680
3.46р.
VISHAY BZT03C82-TR
BZT03C82-TR
8
41.56р.
CBI MMUN2133
MMUN2133
1350
1.86р.
JTD JTDBC857BW
JTDBC857BW
1200
0.75р.
JTD JTDBC847BW
JTDBC847BW
5900
0.74р.