Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI1012X-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI1012X-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
17.48р.
Current - Continuous Drain(Id)
800mA
Drain to Source Voltage
20V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
800mA
Drain to Source Voltage
20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOT-523
Pd - Power Dissipation
150mW
RDS(on)
360mΩ@2.5V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI1012X-T1-GE3-HXY
SI1012X-T1-GE3-HXY
30
17.48р.
HXY MOSFET SI1012R-T1-GE3-HXY
SI1012R-T1-GE3-HXY
220
19.98р.
HXY MOSFET SM2305SRL-HXY
SM2305SRL-HXY
80
4.20р.
HXY MOSFET DMN5L06K-HXY
DMN5L06K-HXY
400
4.40р.
HXY MOSFET NTMFS4C032N-HXY
NTMFS4C032N-HXY
20
27.01р.