Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SH8J65TB1-HXY
Артикул:
SH8J65TB1-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
97
107.11р.
Ciss-Input Capacitance
1.33nF
Current - Continuous Drain(Id)
11A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.33nF
Current - Continuous Drain(Id)
11A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
22nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.6V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
2 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
183pF
Package
SOP-8
Pd - Power Dissipation
3.7W
RDS(on)
14mΩ@10V;20mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
156pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SH8J65TB1-HXY
SH8J65TB1-HXY
97
107.11р.
HXY MOSFET SI4413CDY-T1-GE3-HXY
SI4413CDY-T1-GE3-HXY
79
76.30р.
HXY MOSFET DMC2710UDWQ-13-HXY
DMC2710UDWQ-13-HXY
170
7.64р.
HXY MOSFET DMG1016UDWQ-7-HXY
DMG1016UDWQ-7-HXY
185
10.61р.
HXY MOSFET BUK7208-40B-HXY
BUK7208-40B-HXY
98
87.80р.