Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
RUE002N02-HXY
Артикул:
RUE002N02-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
660
4.20р.
Ciss-Input Capacitance
50pF
Current - Continuous Drain(Id)
800mA
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
50pF
Current - Continuous Drain(Id)
800mA
Drain to Source Voltage
20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
7pF
Package
SOT-523
Pd - Power Dissipation
150mW
RDS(on)
360mΩ@2.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
4.5pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET RUE002N02-HXY
RUE002N02-HXY
660
4.20р.
HXY MOSFET FDY302NZ-HXY
FDY302NZ-HXY
40
6.94р.
HXY MOSFET FDY301NZ-HXY
FDY301NZ-HXY
415
11.71р.
HXY MOSFET DMG6968UDM-HXY
DMG6968UDM-HXY
50
10.46р.
HXY MOSFET DMN2004TK-HXY
DMN2004TK-HXY
40
7.59р.