Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HW2EP190S
Артикул:
HW2EP190S
Производитель:
R+O
190
5.93р.
Ciss-Input Capacitance
1.204nF
Current - Continuous Drain(Id)
22A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.204nF
Current - Continuous Drain(Id)
22A
Drain to Source Voltage
25V
Gate Charge(Qg)
19.6nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
DFN-6(2x2)
Pd - Power Dissipation
2W
RDS(on)
19mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
167pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET MSR860G-HXY
MSR860G-HXY
25
87.22р.
HXY MOSFET DSC06065D1-HXY
DSC06065D1-HXY
50
275.51р.
GOFORD GT130N20Q
GT130N20Q
15
281.34р.
JSCJ 2SC1623(RANGE:300-400)
2SC1623(RANGE:300-400)
120950
1.23р.
HXY MOSFET NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
40
100.92р.