Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
NVATS5A302PLZT4G-HXY
Артикул:
NVATS5A302PLZT4G-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
496
92.59р.
Ciss-Input Capacitance
3.06nF
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
3.06nF
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
56nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.3V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
620pF
Package
TO-252-2L
Pd - Power Dissipation
110W
RDS(on)
13mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
20pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET NVATS5A302PLZT4G-HXY
NVATS5A302PLZT4G-HXY
496
92.59р.
HXY MOSFET FDA20N50-HXY
FDA20N50-HXY
26
277.65р.
HXY MOSFET IRF7389TRPBF-HXY
IRF7389TRPBF-HXY
60
66.47р.
HXY MOSFET FQA24N50-HXY
FQA24N50-HXY
179
366.93р.
HXY MOSFET FDA20N50F-HXY
FDA20N50F-HXY
27
149.26р.