Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IRF640NPBF-HXY
Артикул:
IRF640NPBF-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
245
37.10р.
Ciss-Input Capacitance
1.1nF
Current - Continuous Drain(Id)
18A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.1nF
Current - Continuous Drain(Id)
18A
Drain to Source Voltage
200V
Gate Charge(Qg)
25nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
180pF
Package
TO-220
Pd - Power Dissipation
125W
RDS(on)
120mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
30pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IRF630-HXY
IRF630-HXY
5
30.74р.
HXY MOSFET 60N06
60N06
8
50.32р.
HXY MOSFET 28N50
28N50
93
143.52р.
HXY MOSFET 25N50
25N50
3
110.54р.
JSCJ CJMN3010
CJMN3010
1180
12.61р.