Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IPT015N10NF2SATMA1-HXY
Артикул:
IPT015N10NF2SATMA1-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
32
261.05р.
Ciss-Input Capacitance
14.3nF
Current - Continuous Drain(Id)
312A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
14.3nF
Current - Continuous Drain(Id)
312A
Drain to Source Voltage
100V
Gate Charge(Qg)
250nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
2.12nF
Package
TOLL-8
Pd - Power Dissipation
390.6W
RDS(on)
1.4mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
50pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IPT015N10NF2SATMA1-HXY
IPT015N10NF2SATMA1-HXY
32
261.05р.
HXY MOSFET DMTH6016LFVWQ-13-A-HXY
DMTH6016LFVWQ-13-A-HXY
73
40.15р.
HXY MOSFET NDS9435A-HXY
NDS9435A-HXY
75
40.49р.
HXY MOSFET NDS9430-HXY
NDS9430-HXY
60
25.58р.
HXY MOSFET DMT35M4LFVW-7-HXY
DMT35M4LFVW-7-HXY
45
32.84р.