Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IPD50N04S410ATMA1-HXY
Артикул:
IPD50N04S410ATMA1-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
97
50.98р.
Ciss-Input Capacitance
1.639nF
Current - Continuous Drain(Id)
60A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.639nF
Current - Continuous Drain(Id)
60A
Drain to Source Voltage
40V
Gate Charge(Qg)
16nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
148pF
Package
TO-252-2L
Pd - Power Dissipation
34.6W
RDS(on)
7.7mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
122pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IPD50N04S410ATMA1-HXY
IPD50N04S410ATMA1-HXY
97
50.98р.
HXY MOSFET SFR9034TF-HXY
SFR9034TF-HXY
85
27.99р.
HXY MOSFET IPD50N04S4-08-HXY
IPD50N04S4-08-HXY
69
52.65р.
HXY MOSFET DMN2320UFB4-7B-HXY
DMN2320UFB4-7B-HXY
375
29.50р.
HXY MOSFET DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
90
37.14р.