Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IPD25DP06NM-HXY
Артикул:
IPD25DP06NM-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
3
54.64р.
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Drain to Source Voltage
60V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
10A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
5.85nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
TO-252-2L
Pd - Power Dissipation
31.3W
RDS(on)
210mΩ@4.5V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IPD25DP06NM-HXY
IPD25DP06NM-HXY
3
54.64р.
HXY MOSFET IRFH3702TRPBF-HXY
IRFH3702TRPBF-HXY
6
46.15р.
HXY MOSFET IPD40DP06NMATMA1-HXY
IPD40DP06NMATMA1-HXY
14
49.81р.
HXY MOSFET IRFR3410TRPBF-HXY
IRFR3410TRPBF-HXY
26
44.97р.
HXY MOSFET IRFR3411TRPBF-HXY
IRFR3411TRPBF-HXY
457
59.31р.