Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IMZA65R048M1H-HXY
Артикул:
IMZA65R048M1H-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
26
595.69р.
Ciss-Input Capacitance
1.823nF
Current - Continuous Drain(Id)
53A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.823nF
Current - Continuous Drain(Id)
53A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
96nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
190pF
Package
TO-247-4L
RDS(on)
250mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
19pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IMZA65R048M1H-HXY
IMZA65R048M1H-HXY
26
595.69р.
HXY MOSFET CMS120N080B-HXY
CMS120N080B-HXY
5
1316.02р.
HXY MOSFET G3R75MT12J-HXY
G3R75MT12J-HXY
2
755.96р.
Infineon FP75R12N2T7
FP75R12N2T7
10
5797.24р.
HXY MOSFET UF3C065040K4S-HXY
UF3C065040K4S-HXY
4
1316.02р.