Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HSQD23N0631LT4GE3
Артикул:
HSQD23N0631LT4GE3
Производитель:
HXY MOSFET
20
25.02р.
Ciss-Input Capacitance
1.355nF
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.355nF
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
22nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
60pF
Package
TO-252-2L(TO-252AA)
Pd - Power Dissipation
34.7W
RDS(on)
32mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
49pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HSQD23N0631LT4GE3
HSQD23N0631LT4GE3
20
25.02р.
HXY MOSFET HSI2367DST1GE3
HSI2367DST1GE3
15
50.15р.
HXY MOSFET HIRFP450PBF
HIRFP450PBF
17
148.88р.
HXY MOSFET HSiR804DP
HSiR804DP
56
101.61р.
HXY MOSFET HRRH090P03
HRRH090P03
15
25.23р.