Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HSQ4425EYT1GE3
Артикул:
HSQ4425EYT1GE3
Производитель:
HXY MOSFET
38
125.10р.
Ciss-Input Capacitance
4.7nF
Current - Continuous Drain(Id)
12A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
4.7nF
Current - Continuous Drain(Id)
12A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
45nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOP-8
Pd - Power Dissipation
2.5W
RDS(on)
25mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
210pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HSQ4425EYT1GE3
HSQ4425EYT1GE3
38
125.10р.
HXY MOSFET HSi2351DS
HSi2351DS
500
4.40р.
HXY MOSFET HZXMP3A16DN8TA
HZXMP3A16DN8TA
8
56.81р.
HXY MOSFET HBSC065N06LS5
HBSC065N06LS5
242
98.20р.
HXY MOSFET HIRFB4321PBF
HIRFB4321PBF
15
140.12р.