Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HSISH101DNT1GE3
Артикул:
HSISH101DNT1GE3
Производитель:
HXY MOSFET
50
33.82р.
Ciss-Input Capacitance
4.32nF
Current - Continuous Drain(Id)
70A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
4.32nF
Current - Continuous Drain(Id)
70A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
45nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.6V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
529pF
Package
DFN-8L(3x3)
Pd - Power Dissipation
31.2W
RDS(on)
6.5mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
487pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HSISH101DNT1GE3
HSISH101DNT1GE3
50
33.82р.
HXY MOSFET HCSD18563Q5A
HCSD18563Q5A
115
60.15р.
HXY MOSFET HIPD068P03L3GATMA1
HIPD068P03L3GATMA1
47
63.64р.
HXY MOSFET HFQD19N10LTM
HFQD19N10LTM
9
52.65р.
HXY MOSFET HNTJD5121NT1G
HNTJD5121NT1G
310
4.69р.