Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HSi2377EDST1GE3
Артикул:
HSi2377EDST1GE3
Производитель:
HXY MOSFET
55
21.81р.
Ciss-Input Capacitance
740pF
Current - Continuous Drain(Id)
4.2A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
740pF
Current - Continuous Drain(Id)
4.2A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Charge(Qg)
7.8nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1.7W
RDS(on)
75mΩ@2.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
190pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HSi2377EDST1GE3
HSi2377EDST1GE3
55
21.81р.
HXY MOSFET HFDS6679
HFDS6679
11
43.99р.
HXY MOSFET HBUK721955A118
HBUK721955A118
83
42.96р.
HXY MOSFET HNVTFS5826NLTWG
HNVTFS5826NLTWG
70
26.97р.
HXY MOSFET HIPD220N06L3G
HIPD220N06L3G
108
44.55р.