Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HSCTWA90N65G2V4
Артикул:
HSCTWA90N65G2V4
Производитель:
HXY MOSFET
5
1874.08р.
Ciss-Input Capacitance
5.011nF
Current - Continuous Drain(Id)
120A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
5.011nF
Current - Continuous Drain(Id)
120A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
188nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.6V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
289pF
Package
TO-247-4L
Pd - Power Dissipation
416W
RDS(on)
21mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
31pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HSCTWA90N65G2V4
HSCTWA90N65G2V4
5
1874.08р.
HXY MOSFET HNVHL040N120SC1
HNVHL040N120SC1
5
1242.89р.
HXY MOSFET HNTH4L040N120SC1
HNTH4L040N120SC1
5
924.04р.
LGE S8050
S8050
7920
2.56р.
PJSEMI PJMG10H13PSQ
PJMG10H13PSQ
995
19.45р.