Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HSCTW35N65G2V
Артикул:
HSCTW35N65G2V
Производитель:
HXY MOSFET
31
844.75р.
Ciss-Input Capacitance
1.823nF
Current - Continuous Drain(Id)
49A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.823nF
Current - Continuous Drain(Id)
49A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
96nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
190pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
242W
RDS(on)
49mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
19pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HSCTW35N65G2V
HSCTW35N65G2V
31
844.75р.
HXY MOSFET HSCT3030AR
HSCT3030AR
5
1384.31р.
HXY MOSFET HSCT3060AR
HSCT3060AR
10
735.20р.
HXY MOSFET HNVH4L025N065SC1
HNVH4L025N065SC1
5
1906.05р.
HXY MOSFET HSCT20N120AG
HSCT20N120AG
5
1266.21р.