Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HIMW65R048M1H
Артикул:
HIMW65R048M1H
Производитель:
HXY MOSFET
27
999.89р.
Ciss-Input Capacitance
1.823nF
Current - Continuous Drain(Id)
49A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.823nF
Current - Continuous Drain(Id)
49A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
96nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
190pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
242W
RDS(on)
49mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
19pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIMW65R048M1H
HIMW65R048M1H
27
999.89р.
HXY MOSFET HMSC080SMA120B
HMSC080SMA120B
5
800.77р.
HXY MOSFET HSCT040W120G34AG
HSCT040W120G34AG
5
1270.38р.
HXY MOSFET HSCT018W65G34AG
HSCT018W65G34AG
5
1701.32р.
HXY MOSFET HIMW120R045M1XKSA1
HIMW120R045M1XKSA1
5
1190.07р.