Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HBSC066N06NSATMA1
Артикул:
HBSC066N06NSATMA1
Производитель:
HXY MOSFET
3
68.64р.
Ciss-Input Capacitance
4.136nF
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
4.136nF
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
90nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
DFN5x6-8L
Pd - Power Dissipation
108W
RDS(on)
7mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
257pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HBSC066N06NSATMA1
HBSC066N06NSATMA1
3
68.64р.
HXY MOSFET HFDMC6675BZ
HFDMC6675BZ
159
66.41р.
HXY MOSFET HAM7630N
HAM7630N
50
19.90р.
HXY MOSFET HSQD40N0614LGE3
HSQD40N0614LGE3
20
33.04р.
HXY MOSFET HNTD6414ANT4G
HNTD6414ANT4G
309
99.57р.