Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HAOT10N65
Артикул:
HAOT10N65
Производитель:
HXY MOSFET
3
53.48р.
Ciss-Input Capacitance
1.57nF
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.57nF
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
44nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
136pF
Package
TO-220F
Pd - Power Dissipation
130W
RDS(on)
800mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
10.5pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HAOT10N65
HAOT10N65
3
53.48р.
HXY MOSFET HDMNH6008SPSQ13
HDMNH6008SPSQ13
317
78.96р.
HXY MOSFET HNTR3A085PZ
HNTR3A085PZ
50
5.31р.
HXY MOSFET HAOSP21307
HAOSP21307
30
23.77р.
HXY MOSFET HSTD36P4LLF6
HSTD36P4LLF6
90
105.06р.