Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
E3M0060065D-HXY
Артикул:
E3M0060065D-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
10
499.64р.
Ciss-Input Capacitance
1.02nF
Current - Continuous Drain(Id)
29A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.02nF
Current - Continuous Drain(Id)
29A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
46nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.6V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
80pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
150W
RDS(on)
79mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
9pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SC060N065T8L-HXY
SC060N065T8L-HXY
8
415.72р.
HXY MOSFET NTHL045N065SC1-HXY
NTHL045N065SC1-HXY
30
1038.24р.
HXY MOSFET IMW65R030M1HXKSA1-HXY
IMW65R030M1HXKSA1-HXY
26
988.68р.
HXY MOSFET MSC080SMA120B4-HXY
MSC080SMA120B4-HXY
30
623.58р.
HXY MOSFET NTMFS5832NLT1G-HXY
NTMFS5832NLT1G-HXY
98
84.49р.