Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
BSZ036NE2LSATMA1-HXY
Артикул:
BSZ036NE2LSATMA1-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
295
48.48р.
Ciss-Input Capacitance
3.075nF
Current - Continuous Drain(Id)
60A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
3.075nF
Current - Continuous Drain(Id)
60A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
31.6nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
400pF
Package
DFN-8(3x3)
RDS(on)
4mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
315pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET BSZ036NE2LSATMA1-HXY
BSZ036NE2LSATMA1-HXY
295
48.48р.
HXY MOSFET SMIRF7N65T9RL-HXY
SMIRF7N65T9RL-HXY
97
47.81р.
HXY MOSFET SUD50P04-08-BE3-HXY
SUD50P04-08-BE3-HXY
174
125.61р.
HXY MOSFET SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
189
114.45р.
HXY MOSFET SMIRF4N65T9RL-HXY
SMIRF4N65T9RL-HXY
185
29.85р.