Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI2351DS-T1-GE3-VB
Артикул:
SI2351DS-T1-GE3-VB
Производитель:
VBsemi Elec
80
6.56р.
Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
20V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
10nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
180pF
Package
SOT-23(TO-236)
Pd - Power Dissipation
2.5W
RDS(on)
60mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
155pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
MCC BAT54L2-TP
BAT54L2-TP
9700
2.50р.
VISHAY BZT52C13-E3-08
BZT52C13-E3-08
65
31.14р.
MICROCHIP 1N829A
1N829A
1
3068.69р.
TOSHIBA 2SC5810(T2LXG,ZF)
2SC5810(T2LXG,ZF)
345
11.99р.
AGMSEMI AGM016T08LL
AGM016T08LL
24
114.50р.