Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HFDD5810
Артикул:
HFDD5810
Производитель:
HXY MOSFET
45
36.55р.
Ciss-Input Capacitance
1.378nF
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.378nF
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
12.6nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
TO-252-2L(DPAK)
Pd - Power Dissipation
34.7W
RDS(on)
26mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
9pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HFDD5810
HFDD5810
45
36.55р.
HXY MOSFET HBSC0501NSI
HBSC0501NSI
100
107.89р.
HXY MOSFET HFDG6332C
HFDG6332C
20
23.46р.
HXY MOSFET HAO3435
HAO3435
80
7.31р.
HXY MOSFET HMCG30N03ATP
HMCG30N03ATP
15
14.92р.