Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2304BDS-T1-E3-HXY
Артикул:
Si2304BDS-T1-E3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
2605
17.12р.
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
3nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
38mΩ@10V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VISHAY VS-6CSH02-M3/86A
VS-6CSH02-M3/86A
80
41.00р.
JTD JTD2317B
JTD2317B
2900
3.05р.
KTP BTA12-800CW(KTP)
BTA12-800CW(KTP)
973
30.76р.
Infineon IRF3808STRLPBF
IRF3808STRLPBF
100
221.40р.
HXY MOSFET HSTPSC10H12G2YTR
HSTPSC10H12G2YTR
5
350.10р.