Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
FCHD190N65S3R0-F155-VB
Артикул:
FCHD190N65S3R0-F155-VB
Производитель:
VBsemi Elec
1
253.01р.
Ciss-Input Capacitance
2.322nF
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
2.322nF
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
106nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
105pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
208W
RDS(on)
190mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
4pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VBsemi Elec AOT22N50L-VB
AOT22N50L-VB
8
253.01р.
Infineon IKB20N60TATMA1
IKB20N60TATMA1
99
160.51р.
HXY MOSFET HPHB32N06LT118
HPHB32N06LT118
48
61.80р.
HXY MOSFET HPMV15UNEAR
HPMV15UNEAR
20
7.48р.
HXY MOSFET HSUD20N1066L
HSUD20N1066L
10
17.80р.