Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI2301BDS-T1-GE3-VB
Артикул:
SI2301BDS-T1-GE3-VB
Производитель:
VBsemi Elec
220
7.19р.
Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
835pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
20V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
10nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
180pF
Package
SOT-23(TO-236)
Pd - Power Dissipation
2.5W
RDS(on)
60mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
155pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VBsemi Elec SI2301BDS-T1-GE3-VB
SI2301BDS-T1-GE3-VB
220
7.19р.
VBsemi Elec ME20P03-VB
ME20P03-VB
25
40.67р.
VBsemi Elec NDS331N-NL-VB
NDS331N-NL-VB
505
10.31р.
VBsemi Elec SI2309CDS-T1-GE3-VB
SI2309CDS-T1-GE3-VB
1020
15.19р.
VBsemi Elec NTR4503NT1G-VB
NTR4503NT1G-VB
120
10.26р.