Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
1N65G
Артикул:
1N65G
Производитель:
HXY MOSFET
165
11.39р.
Ciss-Input Capacitance
119pF
Current - Continuous Drain(Id)
1A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
119pF
Current - Continuous Drain(Id)
1A
Drain to Source Voltage
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
4nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
19pF
Package
SOT-223
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
9.5Ω@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
2pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET 1N65G
1N65G
165
11.39р.
HXY MOSFET AO8810-HXY
AO8810-HXY
50
16.23р.
HXY MOSFET HC3M0032120K
HC3M0032120K
4
1530.40р.
HANSCHIP semiconductor ULN2003IPWRG
ULN2003IPWRG
1965
13.80р.
HANSCHIP semiconductor ULN2003LVDRG
ULN2003LVDRG
6415
22.01р.