Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HBZT52C9V1Q7F
Артикул:
HBZT52C9V1Q7F
Производитель:
HXY MOSFET
60
2.33р.
Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
HTS_CA
8541100090
HTS_CN
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_TARIC
8541100000
HTS_US
8541100040
Impedance(Zzk)
95Ω
Impedance(Zzt)
14.2Ω
Minimum
20
Multiple
20
Operating Junction Temperature Range
-40℃~+125℃
Package
SOD-123
Pd - Power Dissipation
500mW
Reverse Leakage Current (Ir)
1uA
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
Zener Voltage(Nom)
9.1V
Zener Voltage(Range)
8.65V~9.56V

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HBZT52C9V1Q7F
HBZT52C9V1Q7F
60
2.33р.
HXY MOSFET HBZT52C3V613F
HBZT52C3V613F
80
2.73р.
HXY MOSFET HZM4733AGS18
HZM4733AGS18
45
29.62р.
HXY MOSFET HBZT52C8V213F
HBZT52C8V213F
100
2.33р.
HXY MOSFET HUS1GHE3AH
HUS1GHE3AH
55
16.74р.