Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HBZT52C3V3E308
Артикул:
HBZT52C3V3E308
Производитель:
HXY MOSFET
40
5.46р.
Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
HTS_CA
8541100090
HTS_CN
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_TARIC
8541100000
HTS_US
8541100040
Impedance(Zzk)
570Ω
Impedance(Zzt)
90Ω
Minimum
10
Multiple
10
Operating Junction Temperature Range
-40℃~+125℃
Package
SOD-123
Pd - Power Dissipation
500mW
Reverse Leakage Current (Ir)
1uA@4V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
Zener Voltage(Nom)
3.3V
Zener Voltage(Range)
3.1V~3.5V

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HBZT52C3V3E308
HBZT52C3V3E308
40
5.46р.
HXY MOSFET HZMY12GS08
HZMY12GS08
75
12.18р.
HXY MOSFET HUS1MHE3AH
HUS1MHE3AH
190
11.49р.
HXY MOSFET HZM4733AGS08
HZM4733AGS08
70
13.29р.
HXY MOSFET HES1DHE3AI
HES1DHE3AI
20
7.86р.