Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HBZT52C18Q7F
Артикул:
HBZT52C18Q7F
Производитель:
HXY MOSFET
120
2.75р.
Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
HTS_CA
8541100090
HTS_CN
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_TARIC
8541100000
HTS_US
8541100040
Impedance(Zzk)
213Ω
Impedance(Zzt)
42.7Ω
Minimum
20
Multiple
20
Operating Junction Temperature Range
-40℃~+125℃
Package
SOD-123
Pd - Power Dissipation
500mW
Reverse Leakage Current (Ir)
1uA@0.04V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
Zener Voltage(Nom)
18V
Zener Voltage(Range)
17.1V~18.9V

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HBZT52C18Q7F
HBZT52C18Q7F
120
2.75р.
HXY MOSFET HBZT52C4V7SQ7F
HBZT52C4V7SQ7F
280
2.73р.
HXY MOSFET HBZT52C18SQ7F
HBZT52C18SQ7F
120
4.09р.
HXY MOSFET HBZT52C24X
HBZT52C24X
60
3.30р.
HXY MOSFET HBZT52C16Q7F
HBZT52C16Q7F
250
1.41р.