Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
JAN1N5809US/TR
Артикул:
JAN1N5809US/TR
Производитель:
MICROCHIP
77458
1633.54р.
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе
30ns 100V 875mV@4A 3A Single Diodes

Характеристики

Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Operating Junction Temperature Range
-65℃~+175℃
Voltage - Forward(Vf@If)
875mV@4A
Reverse Leakage Current (Ir)
5uA@100V
Current - Rectified
3A
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
100
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
GeneSiC Semiconductor MBRT50035R
MBRT50035R
45617
19399.87р.
GeneSiC Semiconductor MBR500150CTR
MBR500150CTR
80109
19640.87р.
Rochester Electronics BAV170M315
BAV170M315
17823
6.72р.
NTE Electronics NTE6202
NTE6202
80040
1853.12р.
GeneSiC Semiconductor MSRTA40060A
MSRTA40060A
37477
4790.30р.