Код товара:
1N1190ARАртикул:
1N1190ARПроизводитель:
GeneSiC SemiconductorКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит 1N1190AR PDF
89023
1465.25р.
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600V600V 1 Independent 1.1V@40A 40A DO-5 Single Diodes RoHS
Официальный технический даташит GeneSiC Semiconductor 1N1190AR (артикул 1N1190AR): Даташит 1N1190AR PDF.
Характеристики
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Diode Configuration
1 Independent
Voltage - Forward(Vf@If)
1.1V@40A
Reverse Leakage Current (Ir)
10uA@50V
Current - Rectified
40A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
800A
Package
DO-5
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
100
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
