Код товара:
MMBT3906G-AE3-RАртикул:
MMBT3906G-AE3-RПроизводитель:
UTCКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MMBT3906G-AE3-R PDF
61876
1.77р.
Current - Collector Cutoff
50nATransition frequency(fT)
250MHzBipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount SOT-23
Официальный технический даташит UTC MMBT3906G-AE3-R (артикул MMBT3906G-AE3-R): Даташит MMBT3906G-AE3-R PDF.
Характеристики
Current - Collector Cutoff
50nA
Transition frequency(fT)
250MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
40V
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
DC Current Gain
100
Pd - Power Dissipation
350mW
Current - Collector(Ic)
200mA
Number
1 PNP
type
PNP
Vce Saturation(VCE(sat))
400mV
Package
SOT-23
Minimum
20
Multiple
20
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
