Код товара:
2SB1260G-Q-AB3-RАртикул:
2SB1260G-Q-AB3-RПроизводитель:
UTCКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит 2SB1260G-Q-AB3-R PDF
38117
9.73р.
Current - Collector Cutoff
1uATransition frequency(fT)
100MHzBipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 100MHz 500mW Surface Mount SOT-89
Официальный технический даташит UTC 2SB1260G-Q-AB3-R (артикул 2SB1260G-Q-AB3-R): Даташит 2SB1260G-Q-AB3-R PDF.
Характеристики
Current - Collector Cutoff
1uA
Transition frequency(fT)
100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
80V
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
DC Current Gain
120
Pd - Power Dissipation
500mW
Current - Collector(Ic)
1A
Number
1 PNP
type
PNP
Vce Saturation(VCE(sat))
400mV
Package
SOT-89
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
4000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
