Код товара:
MMDT5551Артикул:
MMDT5551Производитель:
MSKSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MMDT5551 PDF
78171
2.04р.
Operating Temperature
-55℃~+150℃Current - Collector Cutoff
50nABipolar (BJT) Transistor NPN 160V 0.2A 300MHz 0.2W Surface Mount SOT-363
Официальный технический даташит MSKSEMI MMDT5551 (артикул MMDT5551): Даташит MMDT5551 PDF.
Характеристики
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Current - Collector Cutoff
50nA
Transition frequency(fT)
300MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
160V
DC Current Gain
300
Emitter-Base Voltage VEBO
6V
Current - Collector(Ic)
200mA
Pd - Power Dissipation
200mW
Configuration
Standalone
Number
2 NPN
type
NPN
Vce Saturation(VCE(sat))
200mV
Package
SOT-363
Minimum
20
Multiple
20
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
