Код товара:
MMBT5401-MSАртикул:
MMBT5401-MSПроизводитель:
MSKSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MMBT5401-MS PDF
54812
1.34р.
Current - Collector Cutoff
100nATransition frequency(fT)
100MHzBipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 350mW Surface Mount SOT-23
Официальный технический даташит MSKSEMI MMBT5401-MS (артикул MMBT5401-MS): Даташит MMBT5401-MS PDF.
Характеристики
Current - Collector Cutoff
100nA
Transition frequency(fT)
100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
150V
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
DC Current Gain
200
Current - Collector(Ic)
600mA
Pd - Power Dissipation
350mW
Number
1 PNP
type
PNP
Vce Saturation(VCE(sat))
500mV
Package
SOT-23
Minimum
50
Multiple
50
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
