Код товара:
MJD42CT4G(MS)Артикул:
MJD42CT4G(MS)Производитель:
MSKSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MJD42CT4G(MS) PDF
30018
22.21р.
Operating Temperature
-55℃~+150℃Current - Collector Cutoff
50uABipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.25W Surface Mount TO-252
Официальный технический даташит MSKSEMI MJD42CT4G(MS) (артикул MJD42CT4G(MS)): Даташит MJD42CT4G(MS) PDF.
Характеристики
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Current - Collector Cutoff
50uA
Transition frequency(fT)
3MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
100V
DC Current Gain
75
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
Pd - Power Dissipation
1.25W
Current - Collector(Ic)
6A
Number
1 PNP
type
PNP
Vce Saturation(VCE(sat))
1.5V
Package
TO-252
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
